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論文

Effect of Cl ion implantation on electrical properties of CuInSe$$_{2}$$ thin films

田中 徹*; 山口 利幸*; 大島 武; 伊藤 久義; 若原 昭浩*; 吉田 明*

Solar Energy Materials and Solar Cells, 75(1-2), p.109 - 113, 2003/01

https://doi.org/10.1016/S0927-0248(02)00115-0
 被引用回数：17 パーセンタイル：55.61(Energy & Fuels)

GaAs基板上に作製したCuInSe$$_{2}$$単結晶薄膜にClイオン注入を行い、電気特性を調べた。イオン注入は室温で5E17から5E19/cm$$^{3}$$のCl濃度の範囲で行った。注入後、窒素中400$$^{circ}C$$での熱処理で結晶性が回復することがわかった。Hall係数測定よりキャリア濃度を求めたところ、Cl注入量の増加とともに電子濃度が増加し、ClがCuInSe$$_{2}$$中でドナー不純物として働くことを明らかにした。電子濃度の温度依存性からClのイオン化エネルギーとして78meVが決定できた。

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